这个过程只需要液体化学品；因此，实施起来非常简单且成本低廉。例如，为了蚀刻铜膜，如印刷电路板制造中的常规操作，在铜膜上施加抗蚀剂并形成图案，然后使用过硫酸铵或氯化铁等化学物质选择性地蚀刻铜，只留下保护膜下的铜区域。然后用溶剂剥离抗蚀剂。

等离子蚀刻也称为⼲法蚀刻，因为它是在气相中进行的，不使用液体。它有时被称为反应离子蚀刻(RIE)，尽管正确的术语应该是离子辅助化学气相蚀刻。在等离子蚀刻系统中，基板被放置在等离子发生器阴极上的真空室中，并引入气体以产生反应。该系统的一个优点是可以将相当安全的气体送入腔室，这些气体在等离子体状态下会分解成高活性物质。这方面的一个例子是CF4。这种气体在正常条件下是相当惰性的，但在等离子体中它可以产生许多F原子（自由基），这些原子具有高反应性并自发攻击硅以产生SiF4。因为SiF4是一种气体，所以在这种等离子体反应中，硅很容易变成气体。此外，等离子体中的离子会像溅射一样轰击阴极。这个动作创造了一个额外的能量来源，可以加速平行于离子轨迹的蚀刻速率。因为离子垂直入射到阴极，这具有加速垂直于衬底的蚀刻速率的效果。这将产生具有最小底切和强烈各向异性的蚀刻轮廓。