Для этого процесса требуются только жидкие химические вещества, поэтому он очень прост и недорог. Например, для травления медной пленки, как это обычно делается при изготовлении печатных плат, на нее наносится резист, а затем с помощью химических реагентов, таких как персульфат аммония или хлористый феррид, производится избирательное травление меди, в результате чего под защитной пленкой остаются только медные участки. Затем резист удаляется растворителем.

Плазменное травление также известно как никель-гидридное травление, поскольку оно выполняется в паровой фазе без использования жидкости. Иногда его называют реактивным ионным травлением (RIE), хотя правильнее было бы использовать терминологию ионно-ассистированного химического травления в паровой фазе. В системе плазменного травления подложка помещается в вакуумную камеру над катодом плазменного генератора, и в нее подается газ, вызывающий реакцию. Одним из преимуществ этой системы является возможность подачи в камеру достаточно безопасных газов, которые в плазме распадаются на высокореакционные вещества. Примером может служить CF4. Этот газ достаточно инертен в обычных условиях, но в плазме он может образовывать множество атомов F (свободных радикалов), которые являются высокореакционными и спонтанно атакуют кремний с образованием SiF4. Поскольку SiF4 является газом, кремний легко может превратиться в газ в этой плазменной реакции. Кроме того, ионы в плазме бомбардируют катод, как при распылении. Это действие создает дополнительный источник энергии, который может ускорить скорость травления параллельно траектории движения ионов. Поскольку ионы падают перпендикулярно катоду, это приводит к ускорению скорости травления перпендикулярно подложке. В результате получается профиль травления с минимальным подрезом и сильной анизотропией.