Процесс нанесения покрытия - Нанесение покрытия

Обладая 10-летним опытом в области микро/нано обработки, наши передовые решения по микро/нано обработке гарантируют вам экономию времени, усилий и энергии на протяжении всего процесса микро/нано производства, сокращая значительные потери затрат и оптимизируя эффективность и результативность всего вашего производства.

Более 100 школ и предприятий выбирают нас

Что такое покрытие?

Осаждение тонкой пленки (Покрытие) - это процесс формирования и нанесения тонкопленочного покрытия на материал подложки.Осаждение тонких пленок различных материалов на подложки является одним из важнейших способов микро- и нанообработки.Пленки обладают множеством различных свойств, которые могут быть использованы для изменения или улучшения определенных элементов характеристик подложки. Например, прозрачность, прочность и устойчивость к царапинам; увеличить или уменьшить электропроводность или передачу сигнала и т.д.Толщина осаждения тонкой пленки варьируется от нанометровой до микронной шкалы.

Для осаждения тонких пленок обычно используются следующие процессыФизическое осаждение из паровой фазы (PVD)сХимическое осаждение из паровой фазы (CVD).

Наши возможности

Процессы

Осаждение термическим испарением
(тепловой испарительный)

Испарение при резистивном нагреве, электронно-лучевое термическое испарение

Процессы

Осаждение атомного слоя
(ALD)

Процессы

Плазмохимическое осаждение из паровой фазы (PECVD)

Мощность РЧ: 0-600 Вт, температура процесса: 350°C; однородность ≤ ±5%

Процессы

Химическое осаждение из паровой фазы при низком давлении (LPCVD)

Процессы

Напыление ионным пучком
(IBS)

Процессы

Магнетронное напыление (Мегнетронное напыление)

Материалы покрытия

Металлические материалы

Титан (Ti), алюминий (Al), никель (Ni), золото (Au), серебро (Ag), хром (Cr), платина (Pt), медь (Cu), титан-вольфрам (TiW90), палладий (Pd), цинк (Zn), молибден (Mo), вольфрам (W), тантал (Ta), ниобий (Nb).

Материалы покрытия

Неметаллические материалы

Кремний (Si), диоксид кремния (SiO2), нитрид кремния (SiNx) Оксид алюминия (Al2O3), диоксид гафния (HFO2), фторид магния (MgF2), оксид индия-олова (ITO), пентоксид тантала (Ta2O5)