![](https://www.accscicn.com/wp-content/uploads/2024/05/微透镜阵列-300x259.png)
Микро- и нанообработка | травление
IПосле нанесения рисунка на резистивную пленку методом фотолитографии она становитсяИспользуйтехимиотерапияРаботаИскусство переносит рисунок на следующийЛицов подложке или мембране. Это и есть процесс переноса режимов. Существуют исключения, напримерFIB-литография, при которой рисунок вытравливается напрямуюине делатьИспользуйтеИнгибиторы коррозии и зачисткаРаботаИскусство, которое делаетИспользуйтеУзорчатый резист только путем растворения резистаиНе травленая пленка для усиления оверлейной пленки. ТравлениеРаботаискусствоIИх принято классифицировать на мокрое химическое травление и изоионное травление.подТравление.
Мокрое химическое травление
Для этого процесса требуются только жидкие химические вещества, поэтому он очень прост и недорог. Например, для травления медной пленки, как это обычно делается при изготовлении печатных плат, на нее наносится резист, а затем с помощью химических реагентов, таких как персульфат аммония или хлористый феррид, производится избирательное травление меди, в результате чего под защитной пленкой остаются только медные участки. Затем резист удаляется растворителем.
плазменное травление
Плазменное травление также известно как никель-гидридное травление, поскольку оно выполняется в паровой фазе без использования жидкости. Иногда его называют реактивным ионным травлением (RIE), хотя правильнее было бы использовать терминологию ионно-ассистированного химического травления в паровой фазе. В системе плазменного травления подложка помещается в вакуумную камеру над катодом плазменного генератора, и в нее подается газ, вызывающий реакцию. Одним из преимуществ этой системы является возможность подачи в камеру достаточно безопасных газов, которые в плазме распадаются на высокореакционные вещества. Примером может служить CF4. Этот газ достаточно инертен в обычных условиях, но в плазме он может образовывать множество атомов F (свободных радикалов), которые являются высокореакционными и спонтанно атакуют кремний с образованием SiF4. Поскольку SiF4 является газом, кремний легко может превратиться в газ в этой плазменной реакции. Кроме того, ионы в плазме бомбардируют катод, как при распылении. Это действие создает дополнительный источник энергии, который может ускорить скорость травления параллельно траектории движения ионов. Поскольку ионы падают перпендикулярно катоду, это приводит к ускорению скорости травления перпендикулярно подложке. В результате получается профиль травления с минимальным подрезом и сильной анизотропией.
Мы предлагаем быстрыйУслуги по проектированию устройств МЭМС / обработке микро- и наноструктурне стесняйтесь оставлять комментарии.
Сопутствующие товары
Связанное чтение
Микро- и нанообработка | Изготовление полимерных светоизлучающих устройств
Микро- и нанообработка | AIE Изготовление полимерных светоизлучающих устройств Микро- и наноизлучатели света
Микро-нано обработка | Введение в мокрую очистку
Микро- и нанообработка | Введение в процессы влажной очистки Процессы IC требуют определенных
Микро- и нанообработка | Тонкая обработка МЭМС (I)
Микро- и нанообработка | Введение в обработку МЭМС (I) Микросистемы (Mi)