マイクロ・ナノ構造/MEMSファウンドリープラットフォームの技術力

実験台には合計200以上の機器等があり、そのうち主な機器(40以上)には以下のものがあります。

-グラフィック機器

電子ビーム露光、レーザー直描、デスクトップコンタクトリソグラフィー、デスクトップリソグラフィーなど。

-成膜装置

ICP-PECVD、LPCVD、マグネトロンスパッタリング、電子ビーム蒸着コーティング、PE-ALD、DLC薄膜形成など、電気めっき(Au, Ag, Cu, Ni, Sn, など)。

-エッチング装置

ICP-RIE、RIE、IBE、DRIEディープシリコンエッチング、XeF2テーブルシリコンエッチング装置、HF気相エッチングなどのドライエッチング装置、バルクシリコン、誘電体膜、金属酸化物、金属などのウェットエッチング装置とマッチングCO2超臨界放出装置

-特性評価とテスト装置

AFM、ステップメーター、ラマン分光、SEM、FIB、共焦点顕微鏡、白色光干渉計、赤外線サーモグラフィ、FEMTO-TOOLマイクロ・ナノ力学試験機、超高速カメラ、3次元ドップラーレーザー振動計、DC/RFプローブステーション(60GHZ)、ネットワークアナライザー(60GHz)、半導体分析装置、インピーダンスアナライザー、高精度の電気プロトメーターなど。

-デバイスのバックエンドパッケージング装置

ウェーハ薄化装置、CMP研磨装置、ウェーハボンディング装置、配置装置、スクライビング装置、ワイヤーボンディング装置、ソリッドステート装置、レーザー溶接装置など、チームで開発した加工装置、包装・検査装置。

プラットフォームの技術力

 

-プロセスインテグレーションとプラットフォーム機能

-導電性DLC膜層(スーパースリップサブ、導電性スーパーハードフィルム層など)

-AIN/PZT薄膜プロセス(圧電駆動材料)。

-大型高配向カーボン材料の成長とデバイス加工プロセス

-接合:陽極接合、ガラスハンダ接合、共晶接合(AIGe)、拡散接合プロセス

-大気圧または真空封止、Reseal

-研磨加工と原子レベルの研磨加工

シリコンベースのオールウエットマイクロ・ナノプロセッシング - フレキシブル基板のマイクロ・ナノデバイス加工

-製造・包装能力

-シリコンスルーホール(TSV) ガラススルーホール(TGV)

-圧力・ガス・赤外線・湿度センサー

-マイクロ流体チップの加工と関連テスト

超絶技巧のRF/慣性デバイス処理能力

-Dieの完全なカプセル化機能

アプリケーションカテゴリー機器名機器モデルプロセスパラメータ
メッキ低圧化学気相成長法(LPCVD)ホリス L6471-1SIN、TEOS、ポリなどの薄膜化。
フィルム 1~50枚/オーブン
熱酸化炉心管の熱酸化
アニールラピッドアニール炉 RTPAnnealsys AS-One 150最高温度1500℃まで、加熱速度
最大200℃/秒
FIB加工集束イオンビーム FIBサーモフィッシャーサイオス2ハイバック 
TEM試料作成 
SEMによる形態観察フィールドエミッション環境走査型電子顕微鏡 ESEMサーモフィッシャークワトロS 
SEMスペクトロスコピー 
エレクトロンビームエバポレーションコーティング - 金属電子ビーム蒸発FU-20PEB-950金属膜蒸着、リフトオフプロセスコーティング対応、8インチ基板後方対応。
電子ビーム蒸着 - メディア電子ビーム蒸発FU-12PEB1つのオーブンで4インチ基板10枚までのメディアフィルムを蒸着可能
マグネトロンスパッタリング成膜 - 金属編マグネトロンスパッタリング装置FSE-BSLS-RD-6INCHスパッタリング金属膜、6インチ基板
アトミックレイヤーデポジションプラズマエンハンスド原子層堆積装置ICPALD-S200現在、Al2O3が主流
DLCコーティングダイヤモンドライク薄膜化学蒸着装置CNT-DLC-CL200 
ドライエッチングドライエッチングマシン北方華僑シリコンボッシュ、超低温エッチング、SiO2、石英ディープエッチング、8in以下
IBEエッチングイオンビームエッチング装置(IBE)AE4三次元構造材料のエッチング、エッチング急峻度85度以上、エッチング精度10 nm以上
プラズマ脱脂マイクロ波プラズマ脱墨装置アルファープラズマ 
紫外線リソグラフィーUVリソグラフィーSUS MA6BA6GEN4アライメント精度:±0.5um、分解能600nm
電気メッキメッキ装置WPS-200MTCuメッキ、Auメッキ、Ni/Ni合金メッキ
クリティカルドライ超臨界点ドライヤーオートマガサムドリ-915B 
ゾーニングカッティングマシン用スクライバーディスコD323 
ウェーハボンディングウェーハボンディングマシンSUSS MicroTec SB6Gen2アノードボンディング
AFMテスト高分解能原子間力顕微鏡オックスフォード・サイファーES 
原子間力顕微鏡パークシステムズ NX20 
電子ビームリソグラフィー電子ビームリソグラフィーエリオニクス ELS-F125G8材料費は使用する接着剤の種類によって追加され、スクリードなどの費用は含まれません。
アプリケーションカテゴリー機器名機器モデルプロセスパラメータ
メッキ低圧化学気相成長法(LPCVD)ホリス L6471-1SIN、TEOS、ポリなどの薄膜化。
フィルム 1~50枚/オーブン
熱酸化炉心管の熱酸化
アニールラピッドアニール炉 RTPAnnealsys AS-One 150最高温度1500℃まで、加熱速度
最大200℃/秒
FIB加工集束イオンビーム FIBサーモフィッシャーサイオス2ハイバック 
TEM試料作成 
SEMによる形態観察フィールドエミッション環境走査型電子顕微鏡 ESEMサーモフィッシャークワトロS 
SEMスペクトロスコピー 
エレクトロンビームエバポレーションコーティング - 金属電子ビーム蒸発FU-20PEB-950金属膜蒸着、リフトオフプロセスコーティング対応、8インチ基板後方対応。
電子ビーム蒸着 - メディア電子ビーム蒸発FU-12PEB1つのオーブンで4インチ基板10枚までのメディアフィルムを蒸着可能
マグネトロンスパッタリング成膜 - 金属編マグネトロンスパッタリング装置FSE-BSLS-RD-6INCHスパッタリング金属膜、6インチ基板
アトミックレイヤーデポジションプラズマエンハンスド原子層堆積装置ICPALD-S200現在、Al2O3が主流
DLCコーティングダイヤモンドライク薄膜化学蒸着装置CNT-DLC-CL200 
ドライエッチングドライエッチングマシン北方華僑シリコンボッシュ、超低温エッチング、SiO2、石英ディープエッチング、8in以下
IBEエッチングイオンビームエッチング装置(IBE)AE4三次元構造材料のエッチング、エッチング急峻度85度以上、エッチング精度10 nm以上
プラズマ脱脂マイクロ波プラズマ脱墨装置アルファープラズマ 
紫外線リソグラフィーUVリソグラフィーSUS MA6BA6GEN4アライメント精度:±0.5um、分解能600nm
電気メッキメッキ装置WPS-200MTCuメッキ、Auメッキ、Ni/Ni合金メッキ
クリティカルドライ超臨界点ドライヤーオートマガサムドリ-915B 
ゾーニングカッティングマシン用スクライバーディスコD323 
ウェーハボンディングウェーハボンディングマシンSUSS MicroTec SB6Gen2アノードボンディング
AFMテスト高分解能原子間力顕微鏡オックスフォード・サイファーES 
原子間力顕微鏡パークシステムズ NX20 
電子ビームリソグラフィー電子ビームリソグラフィーエリオニクス ELS-F125G8材料費は使用する接着剤の種類によって追加され、スクリードなどの費用は含まれません。

を迅速に提供します。MEMSデバイス/微細・ナノ構造加工設計サービスお気軽にコメントをお寄せください。

関連製品

関連する読み方