マイクロ・ナノ構造/MEMSファウンドリープラットフォームの技術力
実験台には合計200以上の機器等があり、そのうち主な機器(40以上)には以下のものがあります。
-グラフィック機器
電子ビーム露光、レーザー直描、デスクトップコンタクトリソグラフィー、デスクトップリソグラフィーなど。
-成膜装置
ICP-PECVD、LPCVD、マグネトロンスパッタリング、電子ビーム蒸着コーティング、PE-ALD、DLC薄膜形成など、電気めっき(Au, Ag, Cu, Ni, Sn, など)。
-エッチング装置
ICP-RIE、RIE、IBE、DRIEディープシリコンエッチング、XeF2テーブルシリコンエッチング装置、HF気相エッチングなどのドライエッチング装置、バルクシリコン、誘電体膜、金属酸化物、金属などのウェットエッチング装置とマッチングCO2超臨界放出装置
-特性評価とテスト装置
AFM、ステップメーター、ラマン分光、SEM、FIB、共焦点顕微鏡、白色光干渉計、赤外線サーモグラフィ、FEMTO-TOOLマイクロ・ナノ力学試験機、超高速カメラ、3次元ドップラーレーザー振動計、DC/RFプローブステーション(60GHZ)、ネットワークアナライザー(60GHz)、半導体分析装置、インピーダンスアナライザー、高精度の電気プロトメーターなど。
-デバイスのバックエンドパッケージング装置
ウェーハ薄化装置、CMP研磨装置、ウェーハボンディング装置、配置装置、スクライビング装置、ワイヤーボンディング装置、ソリッドステート装置、レーザー溶接装置など、チームで開発した加工装置、包装・検査装置。
-プロセスインテグレーションとプラットフォーム機能
-導電性DLC膜層(スーパースリップサブ、導電性スーパーハードフィルム層など)
-AIN/PZT薄膜プロセス(圧電駆動材料)。
-大型高配向カーボン材料の成長とデバイス加工プロセス
-接合:陽極接合、ガラスハンダ接合、共晶接合(AIGe)、拡散接合プロセス
-大気圧または真空封止、Reseal
-研磨加工と原子レベルの研磨加工
シリコンベースのオールウエットマイクロ・ナノプロセッシング - フレキシブル基板のマイクロ・ナノデバイス加工
-製造・包装能力
-シリコンスルーホール(TSV) ガラススルーホール(TGV)
-圧力・ガス・赤外線・湿度センサー
-マイクロ流体チップの加工と関連テスト
超絶技巧のRF/慣性デバイス処理能力
-Dieの完全なカプセル化機能
アプリケーションカテゴリー | 機器名 | 機器モデル | プロセスパラメータ |
メッキ | 低圧化学気相成長法(LPCVD) | ホリス L6471-1 | SIN、TEOS、ポリなどの薄膜化。 フィルム 1~50枚/オーブン |
熱酸化 | 炉心管の熱酸化 | ||
アニール | ラピッドアニール炉 RTP | Annealsys AS-One 150 | 最高温度1500℃まで、加熱速度 最大200℃/秒 |
FIB加工 | 集束イオンビーム FIB | サーモフィッシャーサイオス2ハイバック | |
TEM試料作成 | |||
SEMによる形態観察 | フィールドエミッション環境走査型電子顕微鏡 ESEM | サーモフィッシャークワトロS | |
SEMスペクトロスコピー | |||
エレクトロンビームエバポレーションコーティング - 金属 | 電子ビーム蒸発 | FU-20PEB-950 | 金属膜蒸着、リフトオフプロセスコーティング対応、8インチ基板後方対応。 |
電子ビーム蒸着 - メディア | 電子ビーム蒸発 | FU-12PEB | 1つのオーブンで4インチ基板10枚までのメディアフィルムを蒸着可能 |
マグネトロンスパッタリング成膜 - 金属編 | マグネトロンスパッタリング装置 | FSE-BSLS-RD-6INCH | スパッタリング金属膜、6インチ基板 |
アトミックレイヤーデポジション | プラズマエンハンスド原子層堆積装置 | ICPALD-S200 | 現在、Al2O3が主流 |
DLCコーティング | ダイヤモンドライク薄膜化学蒸着装置 | CNT-DLC-CL200 | |
ドライエッチング | ドライエッチングマシン | 北方華僑 | シリコンボッシュ、超低温エッチング、SiO2、石英ディープエッチング、8in以下 |
IBEエッチング | イオンビームエッチング装置(IBE) | AE4 | 三次元構造材料のエッチング、エッチング急峻度85度以上、エッチング精度10 nm以上 |
プラズマ脱脂 | マイクロ波プラズマ脱墨装置 | アルファープラズマ | |
紫外線リソグラフィー | UVリソグラフィー | SUS MA6BA6GEN4 | アライメント精度:±0.5um、分解能600nm |
電気メッキ | メッキ装置 | WPS-200MT | Cuメッキ、Auメッキ、Ni/Ni合金メッキ |
クリティカルドライ | 超臨界点ドライヤー | オートマガサムドリ-915B | |
ゾーニング | カッティングマシン用スクライバー | ディスコD323 | |
ウェーハボンディング | ウェーハボンディングマシン | SUSS MicroTec SB6Gen2 | アノードボンディング |
AFMテスト | 高分解能原子間力顕微鏡 | オックスフォード・サイファーES | |
原子間力顕微鏡 | パークシステムズ NX20 | ||
電子ビームリソグラフィー | 電子ビームリソグラフィー | エリオニクス ELS-F125G8 | 材料費は使用する接着剤の種類によって追加され、スクリードなどの費用は含まれません。 |
アプリケーションカテゴリー | 機器名 | 機器モデル | プロセスパラメータ |
メッキ | 低圧化学気相成長法(LPCVD) | ホリス L6471-1 | SIN、TEOS、ポリなどの薄膜化。 フィルム 1~50枚/オーブン |
熱酸化 | 炉心管の熱酸化 | ||
アニール | ラピッドアニール炉 RTP | Annealsys AS-One 150 | 最高温度1500℃まで、加熱速度 最大200℃/秒 |
FIB加工 | 集束イオンビーム FIB | サーモフィッシャーサイオス2ハイバック | |
TEM試料作成 | |||
SEMによる形態観察 | フィールドエミッション環境走査型電子顕微鏡 ESEM | サーモフィッシャークワトロS | |
SEMスペクトロスコピー | |||
エレクトロンビームエバポレーションコーティング - 金属 | 電子ビーム蒸発 | FU-20PEB-950 | 金属膜蒸着、リフトオフプロセスコーティング対応、8インチ基板後方対応。 |
電子ビーム蒸着 - メディア | 電子ビーム蒸発 | FU-12PEB | 1つのオーブンで4インチ基板10枚までのメディアフィルムを蒸着可能 |
マグネトロンスパッタリング成膜 - 金属編 | マグネトロンスパッタリング装置 | FSE-BSLS-RD-6INCH | スパッタリング金属膜、6インチ基板 |
アトミックレイヤーデポジション | プラズマエンハンスド原子層堆積装置 | ICPALD-S200 | 現在、Al2O3が主流 |
DLCコーティング | ダイヤモンドライク薄膜化学蒸着装置 | CNT-DLC-CL200 | |
ドライエッチング | ドライエッチングマシン | 北方華僑 | シリコンボッシュ、超低温エッチング、SiO2、石英ディープエッチング、8in以下 |
IBEエッチング | イオンビームエッチング装置(IBE) | AE4 | 三次元構造材料のエッチング、エッチング急峻度85度以上、エッチング精度10 nm以上 |
プラズマ脱脂 | マイクロ波プラズマ脱墨装置 | アルファープラズマ | |
紫外線リソグラフィー | UVリソグラフィー | SUS MA6BA6GEN4 | アライメント精度:±0.5um、分解能600nm |
電気メッキ | メッキ装置 | WPS-200MT | Cuメッキ、Auメッキ、Ni/Ni合金メッキ |
クリティカルドライ | 超臨界点ドライヤー | オートマガサムドリ-915B | |
ゾーニング | カッティングマシン用スクライバー | ディスコD323 | |
ウェーハボンディング | ウェーハボンディングマシン | SUSS MicroTec SB6Gen2 | アノードボンディング |
AFMテスト | 高分解能原子間力顕微鏡 | オックスフォード・サイファーES | |
原子間力顕微鏡 | パークシステムズ NX20 | ||
電子ビームリソグラフィー | 電子ビームリソグラフィー | エリオニクス ELS-F125G8 | 材料費は使用する接着剤の種類によって追加され、スクリードなどの費用は含まれません。 |
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