Este proceso sólo requiere productos químicos líquidos, por lo que su aplicación es muy sencilla y barata. Por ejemplo, para grabar una película de cobre, como es habitual en la fabricación de placas de circuitos impresos, se aplica una resistencia y se crea un patrón sobre la película de cobre. A continuación, se utilizan productos químicos como el persulfato de amonio o el cloruro férrico para grabar selectivamente el cobre, dejando sólo la zona de cobre bajo la película protectora. A continuación, se retira la laca con un disolvente.

El grabado por plasma también se conoce como grabado en seco, ya que se lleva a cabo en la fase de vapor sin utilizar líquidos. A veces se denomina grabado iónico reactivo (RIE), aunque el término correcto debería ser grabado químico en fase de vapor asistido por iones. En un sistema de grabado por plasma, el sustrato se coloca en una cámara de vacío sobre el cátodo de un generador de plasma y se introduce un gas para producir la reacción. Una ventaja de este sistema es que se puede introducir en la cámara un gas bastante seguro que se descompondrá en sustancias altamente reactivas en el estado de plasma. Un ejemplo de ello es el CF4. este gas es bastante inerte en condiciones normales, pero en el plasma puede producir muchos átomos F (radicales libres) que son altamente reactivos y atacan espontáneamente al silicio para producir SiF4. puesto que el SiF4 es un gas, el silicio se convierte fácilmente en un gas en esta reacción de plasma. Además, los iones del plasma bombardean el cátodo como si fueran sputtering. Esta acción crea una fuente adicional de energía que puede acelerar la velocidad de grabado en paralelo a la trayectoria de los iones. Como los iones inciden perpendiculares al cátodo, se acelera la velocidad de grabado perpendicular al sustrato. Esto produce un perfil de grabado con una socavación mínima y una fuerte anisotropía.