
Sistema de escritura directa láser 3D de dos fotones de alta precisión*.
Sistema de impresión 3D por polimerización de dos fotones MPP-4E
Impresión 3D por polimerización de dos fotones (2PP)
Este sistema utiliza la exposición a la luz visible para lograr el procesamiento de estructuras de tamaño inferior a 50 nm, supera el límite de difracción y logra la excitación y supresión de una sola longitud de onda para evitar el efecto de la aberración cromática, sentando las bases de la investigación para el grabado de superresolución de gran superficie.
- Software interactivo más sencillo: software de procesamiento y control de gráficos de desarrollo propio, compatible con bmp, jpg, STL, GDSII, CSV y otros formatos gráficos.
- Capacidad de grabado de mayor precisión: posibilidad de procesar estructuras de 50 nm de tamaño
- Posibilidad de modulación paralela multicanal de alta precisión
- Capacidad de escritura directa estructurada en 3D
[Descripción del sistema]
La mayor diferencia entre el MPP-4E y los sistemas convencionales de litografía láser de dos fotones es el uso de dos haces de procesamiento. Uno es un láser de femtosegundo con una longitud de onda de 532 nm, denominado luz de excitación; el otro es un láser continuo con una longitud de onda de 532 nm, denominado luz de supresión. En el procesamiento, el uso de fotorresistencia PPI especial, esta fotorresistencia en la luz de excitación y la luz inhibidora tiene un efecto fotosensible diferente: la luz de excitación puede hacer que la posición de irradiación fotorresistente de polimerización de dos fotones para formar una estructura, la luz inhibidora puede destruir las moléculas fotorresistentes reticulados para lograr el efecto de despolimerización. Cuando la luz inhibidora y el haz de luz de excitación se enfocan para formar un punto oscuro 3D para reducir el tamaño de punto equivalente de la luz de excitación, superando así el límite de difracción óptica y logrando un procesamiento de escritura directa de doble haz de alta precisión.
基于边缘光抑制(PPI)的激光直写技术是一种高精度三维直写光刻技术。本系统利用可见光曝光实现亚50nm尺寸结构加工,突破衍射极限,并实现单波长激发与抑制,避免色差影响,为大面积超分辨刻写奠定了研究基础。
[Parámetros del sistema]
Modelo | MPP-4E |
特征线宽 | ≤50nm (plano XY) y ≤300nm (eje Z) |
周期(XY平面) | ≤400nm |
Velocidad de exploración (máxima) | 10 m/s dividido por el aumento del objetivo (ejemplo: velocidad de exploración de 100 mm/s con un objetivo de 100X) |
粗糙度 | ≤30nm |
Altura de impresión | ≤10mm |
Precisión de empalme | ≤100nm (plano XY) |
Soporte para áreas grabadas (círculos) | 4" de diámetro (personalizable) |
[Dirección de aplicación]
- Dispositivos ópticos: lentes Fresnel, rejillas de destello, conjuntos de microlentes, etc.
- ciencia de materiales
- metamateriales mecánicos
- dispositivo fotónico de acoplamiento de chips (PCCD)
- Conjuntos de hélices micromecánicas
- Estructura fotónica de plomo
- Biomedicina: Matrices de andamios celulares biológicos
- extremo de fibra
- Topología del espacio complejo
- Antifalsificación de gama alta
- Plantillas y máscaras nanoimpresas
[Tipo y rendimiento de la fotorresistencia interna]
Fotorresistentes | CD(nm) | Índice de refracción | Longitud de onda(nm)/modo | Aplicación | Sensibilidad mJ/cm2 |
Ref.IP-dip | >150 | 1.52 | 780 / DIP-IN | TPP 3D | 10 |
TPP-1.52N | 150 | 1.52 | 517-800 / POR INMERSIÓN | TPP 3D | 8 |
TPP-1.52S | 100 | 1.52 | 517-800 / POR INMERSIÓN | TPP 3D | 6 |
TPP-1.56C | 100 | 1.56 | 517-800 / POR INMERSIÓN | TPP 3D Óptico | 25 |
TPP-1.56V | 180 | 1.56 | 517-800 / POR INMERSIÓN | TPP 3D Óptico | 20 |
PPI-1.48N | 50 | 1.48 | 517-800 / ACEITE | PPI 3D | 35 |
PPI-1.52N | 50 | 1.52 | 517-800 / POR INMERSIÓN | PPI 3D | 7 |
PPI-1.52S | 30 | 1.52 | 517-800 / POR INMERSIÓN | PPI 3D | 5 |
Ref. SU-8 2000 | 500 | Sólido | <350 nm | 2D | 240-600 |
Ref. AZ 1500 | 500 | Sólido | 310-450 nm | 2D | 80-130 |
TPP-sEo | 100 | Sólido | 517-800 / ACEITE AIRE | 2D | 18 |
TPP-sCAB | 80 | Sólido | 517-800 / ACEITE AIRE | 2D | 6 |
TPP-sZn | 50 | Sólido | 517-800 / ACEITE AIRE | 2D | 53 |
Lente Fresnel